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J-GLOBAL ID：201202116764167649   整理番号：12A1417633

高誘電率ゲート絶縁膜/Si界面のフォトレフレクタンス分光法による評価

著者 (8件)： 寒川雅之 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  神田浩文 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  北井聡 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  上野正人 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  江利口浩二 (松下電子 半導体社) ,  藤本晶 (和歌山工高専) ,  金島岳 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  奥山雅則 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 48th  号： 2  ページ： 805  発行年： 2001年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高誘電率 ,  ゲート絶縁膜 ,  Si ,  界面 ,  フォト ,  レフレクタンス ,  分光法 ,  評価