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J-GLOBAL ID：201202212670323255   整理番号：12A0308823

MOCVD法で作製したBi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃基エピタキシャル薄膜の結晶構造と電気特性

著者 (6件)： 長田潤一 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  真鍋直人 (東京工大) ,  内田寛 (上智大) ,  坂田修身 (物質・材料研究機構) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 50th  ページ： 178  発行年： 2012年01月12日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 三方晶系 ,  正方晶系 ,  格子定数 ,  電気特性 ,  *結晶構造解析 ,  *エピタクシー ,  *MOCVD ,  *酸化物 ,  *薄膜 ,  *酸化ビスマス ,  亜鉛化合物 ,  チタン化合物 ,  相転移 ,  *酸化物薄膜
準シソーラス用語： *エピタキシャル成長 ,  正方晶 ,  相変化 ,  菱面体晶

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOCVD ,  作製 ,  Bi ,  O3 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  結晶構造 ,  電気特性