文献

J-GLOBAL ID：201202243803485574   整理番号：12A1436599

シリコン基板上に作製したビスマス基圧電体膜の特性評価

著者 (8件)： 及川貴弘 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  真鍋直人 (東京工大) ,  小林健 (産業技術総合研) ,  渡邉隆之 (キヤノン) ,  薮田久人 (キヤノン) ,  三浦薫 (キヤノン) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.13P-C10-12  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,  基板 ,  *ビスマス化合物 ,  圧電気 ,  *薄膜 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  エピタクシー ,  一軸 ,  配向 ,  強誘電体

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  作製 ,  ビスマス ,  圧電体膜 ,  特性評価