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J-GLOBAL ID：201202250464765631   整理番号：12A0960486

III-Vチャンネル上の金属-絶縁体-半導体界面でのプラズマ処理によるアニオン組成の制御

Controlling Anion Composition at Metal-Insulator-Semiconductor Interfaces on III-V Channels by Plasma Processing

著者 (12件)： JEVASUWAN Wipakorn (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  URABE Yuji (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MAEDA Tatsuro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MIYATA Noriyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YASUDA Tetsuji (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  OHTAKE Akihiro (National Inst. Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  YAMADA Hisashi (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  HATA Masahiko (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  LEE Sunghoon (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HOSHII Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 1  ページ： 065701.1-065701.5  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ処理を用いることによって,InGaAs表面のアニオン組成を制御し,金属-絶縁体-半導体(MIS)特性に及ぼすその効果を調査した。オンライン式Auger電子分光法から,InGaAs表面を浄化するH₂プラズマが,表面酸化物を減らし,Asのおよそ一単分子層を除去することが明らかになった。この後,プラズマ窒化によって,Nのおよそ二単分子層が形成されるのに成功したが,窒化層には酸化物成分も含んでいた。Al₂O₃/InGaAsキャパシタの電気的特性が,H₂プラズマ処理によって悪化したが,それに続く,窒化が素子を正常に動作するMIS特性に回復させた。窒化界面を有するMIS電界効果トランジスタのチャネル移動度は,対照群の素子よりも高かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MIS構造 ,  薄膜コンデンサ ,  *プラズマ処理 ,  化学組成 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  Augerスペクトル ,  浄化 ,  プラズマ ,  *酸化アルミニウム ,  *MISFET ,  キャリア移動度 ,  窒化 ,  水素プラズマ ,  チャネル移動度 ,  改変
準シソーラス用語： MISコンデンサ ,  アニオン組成

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (28件)：

• 1) S. Takagi, T. Iisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usada, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, and N. Sugiyama: IEEE Trans. Electron Devices 55 (2008) 21.
• 2) H. Hasegawa, H. Ohno, H. Ishii, T. Haga, Y. Abe, and H. Takahashi: Appl. Surf. Sci. 41 (1989) 372.
• 3) J. Robertson: Microelectron. Eng. 86 (2009) 1558.
• 4) H. Hasegawa, M. Akazawa, A. Domanowska, and B. Adamowicz: Appl. Surf. Sci. 256 (2010) 5698.
• 5) T. Yasuda, N. Miyata, Y. Urabe, H. Ishii, T. Itatani, H. Takagi, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, A. Ohtake, M. Yokohama, T. Hoshii, T. Haimoto, M. Deura, M. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi: MRS Proc. 1194 (2009) 1194-A08-07.

タイトルに関連する用語 (6件)： チャンネル ,  絶縁体 ,  界面 ,  プラズマ処理 ,  アニオン ,  組成