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J-GLOBAL ID：201202293528069090   整理番号：12A1675171

正方晶および菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜の圧電特性と強誘電特性

著者 (6件)： 江原祥隆 (東京工大 大学院) ,  安井伸太郎 (東京工大 大学院) ,  及川貴弘 (東京工大 大学院) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院) ,  山田智明 (名大 院) ,  山田智明 (JST-さきがけ)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 25th  ページ： ROMBUNNO.1PI21  発行年： 2012年09月12日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  エピタクシー ,  ジルコニウム酸塩 ,  *鉛化合物 ,  チタン酸塩 ,  正方晶系 ,  MOCVD ,  強誘電体 ,  基板 ,  *圧電気 ,  *自発分極 ,  配向膜
準シソーラス用語： 菱面体晶系

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (9件)： 正方晶 ,  菱面体晶 ,  エピタキシャル ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  圧電特性 ,  強誘電特性