トンネルトランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-067536
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204583
出願日： 2011年03月25日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：

【課題】1回のリソグラフィ工程によりセルフアラインでトンネルトランジスタを製造する方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜及びゲート電極が積層された半導体基板上に第1の絶縁膜を形成しリソグラフィにより第1の絶縁膜の端部に第1の絶縁膜とは薬品選択性が異なりゲート電極位置を画定する第2の絶縁膜を形成する工程と、第1及び第2の絶縁膜をマスクにゲート電極の一端を画定する工程と、第1及び第2の絶縁膜をマスクにして第1導電型不純物を半導体基板に導入しソースを形成する工程と、半導体基板全面に第1の絶縁膜とは薬品選択性が異なる第3の絶縁膜を被覆する工程と、該第3の絶縁膜の一部を除去することにより該第1の絶縁膜を選択的に除去する工程と、第2及び第3の絶縁膜をマスクにしてゲート電極を形成した後、第2導電型不純物を半導体基板に導入しドレインを形成する工程を含むトンネルトランジスタの製造方法。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層が積層された半導体基板上に第1の膜を形成しリソグラフィにより第2の膜の形成位置を画定する工程と、第1の膜の端部に第1の膜とは薬品選択性が異なりゲート電極位置を画定する第2の膜を形成する工程と、第1及び第2の膜をマスクにゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層を選択的に除去してゲート絶縁膜及びゲート電極の一端を画定する工程と、第1及び第2の膜をマスクにして第1導電型又は第2導電型の不純物を半導体基板に導入しソース又はドレインを形成する工程と、半導体基板全面に第1の膜とは薬品選択性が異なる第3の膜を被覆する工程と、該第3の膜の一部を除去することにより第1の膜の表面を露出する工程と、該第1の膜を選択的に除去する工程と、第2及び第3の膜をマスクにしてゲート絶縁膜となる層及びゲート電極となる層を選択的に除去し、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成した後、第2導電型又は第1導電型の不純物を半導体基板に導入しドレイン又はソースを形成する工程を含むことを特徴とするトンネルトランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/266 , H01L 21/265 , H01L 29/66

FI (5件)：

H01L29/78 301J , H01L29/78 301F , H01L21/265 M , H01L21/265 604M , H01L29/66 T

Fターム (27件)：

5F140AA40 , 5F140AC12 , 5F140AC16 , 5F140BA01 , 5F140BB05 , 5F140BD13 , 5F140BE09 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BG20 , 5F140BG22 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG38 , 5F140BG39 , 5F140BG45 , 5F140BG58 , 5F140BH18 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK14 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CE07 , 5F140CE20

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-017349 出願人：ソニー株式会社
ゲートトンネル障壁を持つトンネル電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-057424 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-174052 出願人：日本鋼管株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Tunneling Field-Effect Transistor: Capacitance Components and Modeling

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