特許
J-GLOBAL ID:201203091788798667

光電変換素子およびその作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 森下 賢樹 ,  村田 雄祐 ,  三木 友由 ,  真家 大樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-013251
公開番号(公開出願番号):特開2012-156255
出願日: 2011年01月25日
公開日(公表日): 2012年08月16日
要約:
【課題】低コストで光電変換効率を向上可能な有機系光電変換素子を提供する。【解決手段】光電変換素子10は、第1電極20と、第2電極24と、第1電極20および第2電極24の間に設けられる光電変換層30と、を備える。光電変換層30は、第1導電型の半導体層60と、第1導電型とは逆の導電型を示し、第1導電型の半導体層60とバルクヘテロ接合を形成する第2導電型の半導体層70と、径が1nm〜1μmの第1導電型の半導体からなる繊維体で形成された3次元網目構造40と、を有する。3次元網目構造40の一部が第1電極20側の面に達している。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1電極と、第2電極と、前記第1電極および前記第2電極の間に設けられる光電変換層と、を備え、 前記光電変換層は、 第1導電型の半導体層と、 前記第1導電型とは逆の導電型を示し、前記第1導電型の半導体層とバルクヘテロ接合を形成する第2導電型の半導体層と、 径が1nm〜1μmの前記第1導電型の半導体からなる繊維体で形成された3次元網目構造と、 を有し、 前記3次元網目構造の一部が前記第1電極側の面に達していることを特徴とする光電変換素子。
IPC (1件):
H01L 51/42
FI (1件):
H01L31/04 D
Fターム (6件):
5F151AA11 ,  5F151BA14 ,  5F151CB14 ,  5F151CB15 ,  5F151DA20 ,  5F151GA03
引用特許:
審査官引用 (4件)
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引用文献:
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