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J-GLOBAL ID：201302204245460634   整理番号：13A1801005

新規ペロブスカイト型ビスマス圧電体薄膜の作製とその特性評価

Fabrication and Characterization of Novel Perovskite-Type Bi-Based Piezoelectric Thin Films

著者 (3件)： 安井伸太郎 (東京工大 応用セラミックス研) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  坂田修身 (物質・材料研究機構)
資料名： 日本結晶学会誌  (Journal of the Crystallographic Society of Japan)
巻： 55  号： 5  ページ： 296-301  発行年： 2013年10月31日 
JST資料番号： G0232A  ISSN： 0369-4585  CODEN： NKEGAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： PbTiO₃を中心とする鉛系圧電体に代わる非鉛化合物のビスマス系圧電体であるBiCoO₃やBi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃は鉛系を凌駕する特性を持つ可能性が期待されている。著者らはエピタキシャル薄膜合成を用いた新規材料の探索を行った。BiCoO₃-BiFeO₃エピタキシャルBiCoO₃薄膜系で,Fe/Co組成比を変化させて,結晶構造の変化をみると,Co量の増加とともに菱面体晶から正方晶への変化が見られた。新圧電体の開発とともに,放射光を用いた電界印加下におけるその場圧電定数測定装置の開発と応用についても研究を行い,さらに放射光X線回折を用いた分極-格子歪-電場特性のその場同時測定装置も開発した。BiCoO₃エピタキシャル薄膜の圧電特性を評価して,大きな圧電性と高いCurie温度の両立も可能であることを明かにした。

シソーラス用語： ペロブスカイト型結晶 ,  *誘電体薄膜 ,  MOCVD ,  化学合成 ,  相境界 ,  エピタクシー ,  *コバルト酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  フェライト ,  *鉄化合物 ,  圧電体 ,  定数 ,  圧電気 ,  X線回折 ,  高圧合成 ,  放射光X線回折 ,  ビスマスフェライト ,  圧電定数
準シソーラス用語： モルフォトロピック相境界 ,  鉄酸ビスマス ,  圧電係数

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

引用文献 (13件)：

• 1)B. Matthias and J. Remeika: Phys. Rev. 76, 1886 (1949).
• 2)M. Villegas, A. C. Caballero, T. Jardiel, C. Arago, J. Maudes and I. Caro: Ferroelectrics 393, 44 (2009).
• 3)K. Matsuo, R. J. Xie, Y. Akimune and T. Sugiyama: J. Ceram. Soc. Jpn. 110, 491 (2002).
• 4)Y. Wang, J. Wu, D. Xiao, W. Wu, B. Zhang, L. Wu and J. Zhu: J. Am. Ceram. Soc. 91, 2772 (2008).
• 5)Y. Hiruma, R. Aoyagi, H. Nagata and T. Takenaka: Jpn. J. Appl. Phys. 44, 5040 (2005).

タイトルに関連する用語 (5件)： ペロブスカイト ,  ビスマス ,  圧電体薄膜 ,  作製 ,  特性評価