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J-GLOBAL ID：201302211122077883   整理番号：13A0312943

高Q値シリコン光ナノ共振器を用いたラマン光増幅素子の開発

Raman amplifier devices using photonic crystal high-Q nanocavities

著者 (5件)： 高橋和 (大阪府大 21世紀科学研究機構) ,  高橋和 (JST-さきがけ) ,  乾善貴 (京大) ,  浅野卓 (京大) ,  野田進 (京大)
資料名： 電気学会電磁界理論研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EMT-13  号： 1-17.20-59  ページ： 237-240  発行年： 2013年01月24日 
JST資料番号： Z0909A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 2005年に実現されたシリコンラマンレーザは,世界初のバルクシリコンレーザとして大きな注目を集めたが,省エネルギー化と微小サイズ化が思うように進展していない。我々は,フォトニック結晶高Q値光ナノ共振器を用いて,1万分の1のサイズと閾値を持つシリコンラマンレーザの実現を追求してきた。初めてナノ共振器のラマンスペクトル測定に成功し,実用的なラマンレーザ素子設計を行った。作製したデバイスにおいて誘導ラマン散乱を確認し,極微小,低閾値ラマンレーザが実現可能であることを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： 誘導Raman散乱 ,  *光増幅器 ,  *Ramanレーザ ,  結晶 ,  光共振器 ,  ケイ素 ,  Ramanスペクトル ,  顕微Raman分光法 ,  *半導体レーザ ,  フォトニック結晶 ,  *Raman増幅器 ,  光ナノ共振器
準シソーラス用語： シリコン

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

引用文献 (11件)：

• BARKAI, A. Integrated silicon photonics for optical networks. Journal of Optical Networking. 2007, 6, 25-47
• CLAPS, R. Observation of Raman emission in silicon waveguides at 1.54 μm. Opt. Express. 2002, 10, 1305-1313
• LIANG, T. K. Role of free carriers from two-photon absorption in Raman amplification in silicon-on-insulator waveguides. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2745-2747
• RONG, H. A continuous-wave Raman silicon laser. Nature. 2005, 433, 725-728
• RONG, H. Low-threshold continuous-wave Raman silicon laser. Nature Photon. 2007, 1, 232-237

タイトルに関連する用語 (5件)： Q値 ,  シリコン ,  光ナノ共振器 ,  増幅素子 ,  開発