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J-GLOBAL ID：201302228466871708   整理番号：13A1303880

微細構造の実効誘電率計算のための静電界解析

Electrostatic Analysis of Effective Permittivity for Microstructure

著者 (3件)： 平野拓一 (東京工大) ,  広川二郎 (東京工大) ,  安藤真 (東京工大)
資料名： 電気学会電磁界理論研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EMT-13  号： 72-110.112-119  ページ： 13-18  発行年： 2013年07月18日 
JST資料番号： Z0909A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 著者らは,CMOSチップで必須となるダミーメタルの影響評価を行い,等価媒質定数を求める手法を提案してきた。等価媒質定数の抽出手法として過去に次の2つの手法(1)1周期構造を考え,伝搬固有モードを電磁界解析して,伝搬定数と特性インピーダンスから抽出する方法,(2)1周期構造を考え,キャパシタモデル,インダクタモデルの電磁界解析よりキャパシタンスとインダクタンスから等価媒質定数を抽出する方法を提案している。本稿ではこれらの結果のさらなる検証のために,波長に比して微細な構造の実効誘電率を計算する。解析手法としては1周期の構造について静電界解析(ラプラスの方程式)を解き,キャパシタンスを計算する手法について検討した。実効誘電率は過去に提案した手法で計算した値とよく一致した。(著者抄録)

シソーラス用語： *誘電率 ,  微細構造 ,  静電場 ,  *電磁場解析 ,  *実効誘電率

分類 (1件)： R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N)

引用文献 (9件)：

• DOAN, C. H. Design considerations for 60 GHz CMOS radios. IEEE Communications Magazine. 2004, 42, 12, 132-140
• OKADA, K. Full Four-Channel 6.3-Gb/s 60-GHz CMOS Transceiver With Low-Power Analog and Digital Baseband Circuitry. IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2013, 48, 1, 46-65
• TSUCHIYA, A. Patterned Floating Dummy Fill for On-Chip Spiral Inductor Considering the Effect of Dummy Fill. IEEE Trans. MTT. 2008, 56, 12, 3217-3222
• ONO, Y. Eigenmode Analysis of Propagation Constant for a Microstrip Line with Dummy Fills on a Si CMOS Substrate. IEICE Trans. Electron., C. 2011, E94, 6, 1008-1015
• 平野拓一. CMOSチップ上周期配列ダミーメタルフィルの等価異方性媒質定数の抽出. 電子情報通信学会技術研究報告. 2012, 111, 487, 55-60

タイトルに関連する用語 (5件)： 微細構造 ,  実効誘電率 ,  計算 ,  静電界 ,  解析