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J-GLOBAL ID：201302255210969929   整理番号：13A1721533

AlGaNのドライエッチングへのBCl₃の影響に関する研究

著者 (10件)： LIU P. (東京工大) ,  米澤宏昭 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.17P-P2-32  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  プラズマエッチング ,  *ドライエッチング ,  塩化ホウ素 ,  加工速度 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *HFET ,  エッチングレート ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  ドライエッチング ,  BCl3 ,  研究