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J-GLOBAL ID：201302266310006380   整理番号：13A0851339

繰り返し電界印加によるMEMS用Pb(Zr,Ti)O₃膜の特性評価

著者 (8件)： 和田亜由美 (東京工大) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  中島光雅 (東京工大) ,  及川貴弘 (東京工大) ,  小林健 (産業技術総合研) ,  森岡仁 (ブルカー・エイエックスエス) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.28P-D3-6  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  MIM構造 ,  残留分極 ,  分極反転 ,  スイッチング ,  疲れ ,  MEMS ,  繰返し疲労
準シソーラス用語： サイクル疲労

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電界印加 ,  MEMS ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  特性評価