文献

J-GLOBAL ID：201302276054845847   整理番号：13A1432193

原子層蒸着を用いたシリコンナノワイアアレイにおけるキャリア拡散距離の改善

Improvement of carrier diffusion length in silicon nanowire arrays using atomic layer deposition

著者 (10件)： KATO Shinya (Tokyo Inst. of Technol., Dep. of Physical Electronics, 152-8552, Meguro-ku, Tokyo, JPN) ,  KUROKAWA Yasuyoshi (Tokyo Inst. of Technol., Dep. of Physical Electronics, 152-8552, Meguro-ku, Tokyo, JPN) ,  KUROKAWA Yasuyoshi (PRESTO, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), 102-0076, Tokyo, JPN) ,  MIYAJIMA Shinsuke (Tokyo Inst. of Technol., Dep. of Physical Electronics, 152-8552, Meguro-ku, Tokyo, JPN) ,  WATANABE Yuya (Tokyo Inst. of Technol., Dep. of Physical Electronics, 152-8552, Meguro-ku, Tokyo, JPN) ,  YAMADA Akira (Tokyo Inst. of Technol., Dep. of Physical Electronics, 152-8552, Meguro-ku, Tokyo, JPN) ,  YAMADA Akira (Tokyo Inst. of Technol., Photovoltaics Res. Center (PVREC), 152-8550, Tokyo, JPN) ,  OHTA Yoshimi (Nissan Res. Center, Advanced Materials Lab., 237-8523, Yokosuka, Kanagawa, JPN) ,  NIWA Yusuke (Nissan Res. Center, Advanced Materials Lab., 237-8523, Yokosuka, Kanagawa, JPN) ,  HIROTA Masaki (Nissan Res. Center, Advanced Materials Lab., 237-8523, Yokosuka, Kanagawa, JPN)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 1-8  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率のシリコンナノワイア(SiNW)太陽電池を達成するために,SiNWアレイは大きな表面積を持つので,表面不動態化法が非常に重要である。原子層蒸着(ALD)により,SiNWアレイの全体表面上の不動態化で高品質酸化アルミニウム(Al₂O₃)膜を調製できた。嵩高いシリコン基板搭載Al₂O₃蒸着SiNWアレイの少数キャリア寿命を,最適なアニーリング条件で27μsまで改善した。嵩高いシリコンの影響を除去するために,SiNWアレイにおける少数キャリアの有効拡散距離を,一次方程式およびデバイスシミュレータで推測した。その結果,SiNWアレイにおける効果的な拡散距離は,Al₂O₃蒸着および400°Cでの後アニーリングにより,3.25から13.5μmまで増加したことが判明した。この拡散距離の改善は,太陽電池への応用で非常に重要であり,ALDで蒸着されたAl₂O₃は,SiNWアレイなどの高アスペクト比をもつ構造に用いる有望な不動態化材料であった。Copyright 2013 Kato et al.; licensee Springer. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  *アレイ ,  *不動態化 ,  基板 ,  *酸化アルミニウム ,  薄膜 ,  *化学蒸着 ,  単原子層 ,  調製 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *拡散距離 ,  キャリア ,  キャリア寿命 ,  焼なまし ,  一次方程式 ,  シミュレータ ,  CAD【計算機】 ,  半導体素子 ,  計算機シミュレーション ,  アスペクト比 ,  *改変 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： アニーリング ,  キャリア拡散距離 ,  シリコン ,  シリコンナノワイア ,  デバイスシミュレータ ,  原子層蒸着 ,  材料調製

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  気相めっき  (WC08022K) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層蒸着 ,  シリコン ,  ナノワイアアレイ ,  キャリア ,  拡散距離

ライセンス情報：
Copyright 2013 Kato et al.; licensee Springer.