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J-GLOBAL ID：201302289579145514   整理番号：13A1882899

デバイスのリンギング周波数と伝導ノイズに関する一考察

A Consideration about the Ringing Frequency of the Devices and Conductive Noise

著者 (7件)： 金澤康樹 (島根大) ,  石原將貴 (島根大) ,  HUYI Hou (島根大) ,  七森公碩 (島根大) ,  西垣彰紘 (島根大) ,  吉田尭 (島根大) ,  山本真義 (島根大)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-13  号： 46-61  ページ： 75-79  発行年： 2013年10月21日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC MOSFETやGaN FETなどの次世代パワーデバイスでは,その適用により,di/dtやdv/dtが高くなり,それに伴う電圧,電流のリンギングやサージ電圧が発生して,他の機器に誤作動を生じさせる怖れがある。本論では,先ずMOSFET,IGBT,SiC(Rohm),SiC(Cree)に対するダブルパルス測定を行い,各デバイスの特性を調べるとともに,伝導ノイズも測定した。その結果,伝導ノイズの最も高くなる周波数と実機から得られたリンギングの周波数がほぼ一致し,伝導ノイズのノイズレベルが最も発生し易い周波数は,リンギングの周波数に依存することが分かった。また,SiC MOSFETは,Si系デバイスにおいては確認されていない伝導ノイズを発生するため,ダブルパルス測定結果を用いて考察した結果,このノイズは,SiC MOSFET内部の寄生インダクタンス成分などに起因していることが推定された。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *信号現象 ,  雑音 ,  MOSFET ,  IGBT ,  炭化ケイ素 ,  パルス法 ,  電気特性 ,  *雑音解析 ,  雑音測定 ,  周波数依存性 ,  ダブルパルス法 ,  寄生インダクタンス
準シソーラス用語： *パワーデバイス ,  *リンギング ,  ハーフブリッジ回路

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• 町田 修,岩上 真一,猪澤 道能,馬場 良平,江原 俊浩,柳原 将貴,金子 信男,後藤 博一,岩渕 昭夫:「高耐圧AlGaN/GaN FETのPFC回路評価」,平成19電気学会全国大会,No.4-007, pp.11-12(2007) O. Machida, S. Iwakami, M. Izawa,R. Baba, T. Ehara, M. Yanagihara, N. Kaneko, H. Goto and A. Iwabuchi,“Feasible Evaluations of High-Voltage AlGaN/GaN FET on PFC Converter Board”, Annual Meeting Record I.E.E.Japan, No.4-007, pp-1112(2007) (in Japanese)
• N. Kaminski, O. Hilt,“SiC and GaN Devices Competition or Coexistence?”, Integrated Power Electronics Systems, Mar. 2012, pp. 1-11.
• Masayoshi Yamamoto, Yu Nozaki, Osamu Machida,“High Efficiency Drive Technique suitable for GaN-FET and Its Applications for Power Converter”, IEEJ, Trans. On Electronics, vol. EDD-11, No.50-65, pp. 47-50, 2011.
• H. Umegami, Y. Nozaki, M. Yamamoto, O. Machida,“A Novel High Efficiency Gate Drive Circuit for Normally Off Type GaN FET”, Energy Conversion Congress and Exposition, Sep. 2012, pp. 2954-2960.
• Z. Ariga and K. Wada:”Analysis of Near Field Noise Voltage Caused by a Pulse Current on Power Electronics Circuits”, IEEJ/LAS Trans., Vol.129, No.9, pp.859-865(2009-9) (in Japanese)有賀善之助・和田圭二:「電力変換回路近傍におけるパルス電流に起因する誘導ノイズの解析」,電学論 D,Vol.1.129, No.9,pp.859-865(2009-9)

タイトルに関連する用語 (3件)： リンギング ,  伝導 ,  ノイズ