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J-GLOBAL ID：201302294315260181   整理番号：13A1721043

KTaO₃及びMgAl₂O₄基板上に作製した(100)配向PbTiO₃エピタキシャル薄膜のドメイン構造

著者 (5件)： 江原祥隆 (東京工大 大学院) ,  中島崇明 (東京工大 大学院) ,  山田智明 (名古屋大) ,  山田智明 (JST-さきがけ) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.19A-D1-1  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： タンタル酸カリウム ,  *チタン酸鉛 ,  *誘電体薄膜 ,  エピタクシー ,  *分域構造 ,  MOCVD ,  *強誘電体薄膜
準シソーラス用語： X線回折パターン

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： MgAl2O4 ,  作製 ,  配向 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  ドメイン構造