有機半導体素子用電極及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：酒井宏明 , 寺崎直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-195964
公開番号（公開出願番号）：特開2013-058598
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：

【課題】電界効果移動度が十分な有機半導体素子を安価に製造することができる有機半導体素子用電極、及びかかる有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を提供する。【解決手段】基板1上に、酸化グラフェンナノリボンを含有するインクをインクジェット法により塗布し、前記インクが含有する前記酸化グラフェンナノリボンを還元して、グラフェンナノリボンを含有する薄膜とすることにより形成される有機半導体素子用電極5、6。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、酸化グラフェンナノリボンを含有するインクをインクジェット法により塗布し、前記インクが含有する前記酸化グラフェンナノリボンを還元して、グラフェンナノリボンを含有する薄膜とすることにより形成される有機半導体素子用電極。

IPC (9件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/288 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 51/42

FI (11件)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L21/288 Z , H01L21/28 301Z , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310E , H01L31/04 D

Fターム (53件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104DD77 , 4M104DD78 , 4M104GG05 , 4M104GG09 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110BB12 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK32 , 5F110HK42 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F151AA11 , 5F151FA02 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151GA03 , 5F151GA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-222786 出願人：国立大学法人東京工業大学
特許第4527194号
炭素からなる骨格を持つ薄膜状粒子を基板に載せた構造物およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-032881 出願人：三菱瓦斯化学株式会社

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