特許

J-GLOBAL ID：201303070830842523

SiC結晶の成長方法

発明者： 柴田 顕次 ,  市川 慎一郎 ,  今岡 功 ,  宇治原 徹 ,  原田 俊太 ,  関 和明
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機 ,  国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-275588
公開番号（公開出願番号）：特開2013-124214
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：

【課題】SiC結晶をサファイア基板上にエピタキシャル成長させる方法を提供する。【解決手段】SiC結晶の成長方法を提供する。この方法では、シリコンおよび金属をシリコンの融点以下に加熱して得られた溶液に、カーボンを含む膜を介してサファイア基板が接する状態を実現する工程を備える。カーボンを含む膜の一部が消失し、その消失部でサファイア基板と前記溶液が直接接触するに至るまで前記状態を持続する工程を備える。カーボンを含む膜の一部が消失した後に、前記溶液を冷却する工程を備える。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

SiC結晶の成長方法であって、 シリコンおよび金属をシリコンの融点以下に加熱して得られた溶液に、カーボンを含む膜を介してサファイア基板が接する状態を実現する工程と、 カーボンを含む膜の一部が消失し、その消失部でサファイア基板と前記溶液が直接接触するに至るまで前記状態を持続する工程と、 カーボンを含む膜の一部が消失した後に、前記溶液を冷却する工程と、 を備えることを特徴とするSiC結晶の成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/12

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/12

Fターム (14件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EA01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA71 ,  4G077QA74 ,  4G077QA79

引用特許：

出願人引用 (3件)

• SiC単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-286642   出願人：住友金属工業株式会社
• α-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及びα-SiCヘテロエピタキシャル薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-293377   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• SiC結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-275587   出願人：株式会社豊田自動織機, 国立大学法人名古屋大学

審査官引用 (3件)

• SiC結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-275587   出願人：株式会社豊田自動織機, 国立大学法人名古屋大学
• SiC単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-286642   出願人：住友金属工業株式会社
• α-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及びα-SiCヘテロエピタキシャル薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-293377   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Local epitaxy and lateral epitaxial overgrowth of SiC

審査官引用 (1件)

• Local epitaxy and lateral epitaxial overgrowth of SiC