特許
J-GLOBAL ID：200903031544270972

α-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法及びα-SiCヘテロエピタキシャル薄膜

発明者：
楠森 毅

楠森 毅 について

, 
武藤 八三

武藤 八三 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-293377
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095796
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：
【要約】【課題】 α-SiCエピタキシャル薄膜を低温で、しかもSiC単結晶基板以外の異種基板上に作製する方法及び本方法により得られるα-SiCヘテロエピタキシャル薄膜を提供する。【解決手段】 レーザアブレーション法によりα-SiCエピタキシャル薄膜を作製する方法であって、低圧の不活性ガス雰囲気中でα-SiCの単結晶体又は多結晶体のターゲットにパルスレーザを照射して蒸発させ、続いて、加熱した、SiC単結晶とは異なる異種単結晶基板上に堆積させることにより成膜を行うことを特徴とするα-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法、及び該方法で作製した高温相のα-SiCヘテロエピタキシャル薄膜。
請求項（抜粋）：
α-SiCエピタキシャル薄膜を作製する方法であって、低圧不活性ガス雰囲気中で高温相のα-SiCのターゲットにパルスレーザを照射してターゲットを蒸発(アブレーション)させ、加熱した基板上に堆積させることによりα-SiCのエピタキシャル薄膜を作製することを特徴とするα-SiCエピタキシャル薄膜の作製方法。
IPC (5件)：
C30B 29/36 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/28 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203
FI (5件)：
C30B 29/36 A ,  C23C 14/06 E ,  C23C 14/28 ,  C30B 23/08 Z ,  H01L 21/203 Z
Fターム (21件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA03 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077SB10 ,  4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029BA56 ,  4K029BB10 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  5F103AA10 ,  5F103BB23 ,  5F103BB55 ,  5F103DD17 ,  5F103HH04 ,  5F103NN01 ,  5F103RR10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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