特許
J-GLOBAL ID：200903086533859132
SiC単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-286642
公開番号（公開出願番号）：特開2008-100890
出願日： 2006年10月20日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】大口径、高品質SiC単結晶を安価に安定して連続成長させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝に収容されたSi合金の融液を溶媒とするSiC溶液に種結晶基板を接触させて基板上にSiCをエピタキシャル成長させる液相成長法によるSiC単結晶の製造において、種結晶基板としてサファイア結晶基板を使用する。溶媒は、Si-Al合金またはSi-Al-M合金(MはTi,Mn,Fe,Co,Cr,Cu及びVから選ばれた1種以上の添加元素)とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
坩堝に収容されたSi合金の融液を溶媒とするSiC溶液に種結晶基板を接触させて該基板上にSiCをエピタキシャル成長させる液相成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、
前記種結晶基板がサファイア結晶基板であり、
前記Si合金が、Si-Al合金またはSi-Al-M合金(Mは、Ti,Mn,Fe,Co,Cr,Cu及びVから選ばれた1種以上の元素)である、
ことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (23件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CG02
, 4G077CG07
, 4G077EC08
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EG02
, 4G077EG18
, 4G077EH08
, 4G077EJ02
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077QA04
, 4G077QA12
, 4G077QA29
, 4G077QA38
, 4G077QA52
, 4G077QA62
, 4G077QA71
, 4G077QA79
, 4G077RA03
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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