有機半導体素子用電極及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：酒井宏明 , 寺崎直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-195965
公開番号（公開出願番号）：特開2013-058599
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：

【課題】電界効果移動度が高い有機半導体素子の製造に有用な有機半導体素子用電極、及び、該有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を安価に提供する。【解決手段】基板1、ゲート電極4、ゲート絶縁膜3、有機半導体層2、ソース電極5及びドレイン電極6を有する有機半導体素子100であって、前記ゲート絶縁膜上に設けられた自己組織化単分子膜のパターン領域と、前記自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域20に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる前記ソース電極及びドレイン電極とを有する、有機半導体素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる、有機半導体素子用電極。

IPC (11件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , G02F 1/136 , H01L 31/10 , H01L 51/42 , H01L 51/50

FI (13件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 627C , H01L29/78 616K , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 370 , H01L21/28 301Z , H01L29/50 M , G02F1/1368 , H01L31/10 H , H01L31/04 D , H05B33/14 A

Fターム (69件)：

2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA35 , 2H092KA09 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092KA20 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092NA25 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC11 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104GG05 , 4M104GG09 , 5F049MB08 , 5F049SE06 , 5F110AA01 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110BB12 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F110HK42 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F151AA11 , 5F151FA07 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-222786 出願人：国立大学法人東京工業大学
炭素からなる骨格を持つ薄膜状粒子を基板に載せた構造物およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-032881 出願人：三菱瓦斯化学株式会社
特許第4527194号

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