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J-GLOBAL ID:201402217404476735   整理番号:14A1152379

BCB貼り付けによるSi基板上集積導波路形半導体薄膜DFBレーザ

Integrated waveguide type membrane DFB lasers by BCB bonding on Si substrate
著者 (8件):
資料名:
巻: 114  号: 183(R2014 23-54)  ページ: 17-22  発行年: 2014年08月14日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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集積回路の微細化に伴う配線遅延や発熱の増大を解決する方法として,銅電気グローバル配線を光配線に代替するオンチップ光配線技術が期待されている。我々は,オンチップ光配線用レーザ光源に要求される極低消費電力動作を達成できる構造として,半導体薄膜DFBレーザを提案している。今回,BCB貼り付けを用いてSi基板上に直接貼り付けした半導体薄膜レーザの室温連続動作を実現し,共振器長350μm,ストライプ幅0.7μmの素子においてしきい値電流2.5mA,前端面からの外部微分量子効率22%を実現した。このファブリ・ペロー共振器構造薄膜レーザの外部微分量子効率の共振器長依存性より,内部量子効率は75%,導波路損失は42cm-1と見積もられた。また,半導体薄膜レーザと光導波路の集積化に向けてButt-Joint再成長技術を用いて,Si基板上にBCB貼り付けした導波路集積形の半導体薄膜DFBレーザを試作した結果,共振器長50μm,ストライプ幅0.8μmの素子において,しきい値電流250μAでの室温連続動作を実現した。(著者抄録)
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分類 (2件):
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半導体レーザ  ,  光集積回路,集積光学 
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引用文献 (32件):

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