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J-GLOBAL ID：201402230727997005   整理番号：14A0355089

強誘電体-反強誘電体相境界におけるエピタキシャル薄膜の圧電応答挙動

著者 (12件)： 安井伸太郎 (東京工大 応用セラミックス研) ,  安井伸太郎 (Univ. Maryland) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  白石貴久 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  今井康彦 (JASRI) ,  田尻寛男 (JASRI) ,  坂田修身 (東京工大) ,  坂田修身 (NIMS) ,  伊藤満 (東京工大 応用セラミックス研) ,  TAKEUCHI Ichiro (Univ. Maryland)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 69  号： 1 第4分冊  ページ： 923  発行年： 2014年03月05日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  *鉄化合物 ,  *サマリウム ,  *置換 ,  *結晶構造 ,  *X線回折 ,  依存性 ,  反強誘電性 ,  強誘電性 ,  *相転移 ,  *定数 ,  *放射光X線回折 ,  *圧電定数 ,  *ビスマスフェライト ,  含量依存性
準シソーラス用語： *鉄酸ビスマス ,  含有量依存性

分類 (3件)： 固相転移  (BL04020G) ,  X線回折法  (BK01020I) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 強誘電体 ,  反強誘電体 ,  相境界 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  圧電応答 ,  挙動