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J-GLOBAL ID：201402235001731245   整理番号：14A0435881

チャージポンプ測定による三次元Siナノ構造における界面準位密度の特徴分析

Characterization of interface state density of three-dimensional Si nanostructure by charge pumping measurement

著者 (12件)： DOU Chunmeng (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  SHOJI Tomoya (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  NAKAJIMA Kazuhiro (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  KAKUSHIMA Kuniyuki (Interdisciplianry Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  AHMET Parhat (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  KATAOKA Yoshinori (Interdisciplianry Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  NISHIYAMA Akira (Interdisciplianry Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  SUGII Nobuyuki (Interdisciplianry Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  WAKABAYASHI Hitoshi (Interdisciplianry Graduate School of Sci., Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  TSUTSUI Kazuo (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  NATORI Kenji (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN) ,  IWAI Hiroshi (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 54  号： 4  ページ： 725-729  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-i-nゲートのダイオード構成を採用して,シリコン-オン-インシュレータ(SOI)ウエハ上に形成したSiフィン構造のSi/SiO₂界面における界面準位密度(D_it)をチャージポンプ法を用いて系統的に調査した。3次元(3D)表面に対するフォーミングガスアニールの最適温度を導き出した。3D表面の異なる領域(即ち,トップ/サイドウォールとコーナー)における局所D_itを個別に定量測定するための新しい方法もまた,さまざまな幅のフィンと対抗するプレーナ電極の特徴分析を行って見出した。それらの結果から,多くの場合,高い局所D_itを有するコーナー部を独立して考慮すべきであることを確認した。さらに,3D表面での高いD_itの源泉を明らかにした。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： キャリア注入 ,  計測 ,  三次元 ,  ケイ素 ,  ナノ構造 ,  *表面準位 ,  *状態密度 ,  キャラクタリゼーション ,  PIN接合 ,  *ゲート【半導体】 ,  *テスト構造 ,  混合気体 ,  焼なまし ,  プレーナ技術 ,  電極チップ ,  PINダイオード ,  最適設計 ,  形態 ,  最適化 ,  形状効果 ,  CMOS構造 ,  ウエハ【IC】 ,  SOI構造 ,  素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  微細構造 ,  精密加工 ,  *MEMS ,  SOIウェハ ,  最適形状 ,  改変 ,  MOS構造
準シソーラス用語： FinFET ,  アニーリング ,  *チャージポンプ ,  フォーミングガス ,  界面準位 ,  準位密度

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： チャージポンプ ,  Si ,  ナノ構造 ,  界面準位密度 ,  特徴分析