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J-GLOBAL ID：201402260893253339   整理番号：14A1100784

SiNマスクによるGaN選択成長における成長前プロセスの検討

著者 (11件)： MAN S. (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  萱沼怜 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  武井優典 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  高橋言緒 (産総研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  井手利英 (産総研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  清水三聡 (産総研 先進パワーエレクトロニクス研究セ) ,  筒井一生 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  角嶋邦之 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  若林整 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  片岡好則 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.19P-PB6-4  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *選択成長 ,  *窒化ケイ素 ,  マスク ,  プロセス制御 ,  前処理 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  サファイア基板

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiN ,  マスク ,  GaN ,  選択成長 ,  成長 ,  プロセス