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J-GLOBAL ID：201402280599220652   整理番号：14A1272842

プラズマアシスト分子線エピタキシーによるβ-Ga₂O₃(010)の成長速度の系統的研究

Systematic investigation of the growth rate of β-Ga₂O₃(010) by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (6件)： OKUMURA Hironori (Univ. California, CA, USA) ,  KITA Masao (Toyama National Coll. Technol., Toyama, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SPECK James S. (Univ. California, CA, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 7  号： 9  ページ： 095501.1-095501.4  発行年： 2014年09月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-Ga₂O₃(010)ホモエピタキシャル成長をプラズマアシスト分子線エピタキシーにより行った。Ga-富化条件下で650°C以上の成長温度での成長速度はGs/O比(>1)に無関係であった。β-Ga₂O₃(010)に対して2.2nm/minの高い成長速度が650°Cから750°Cの間でO流速を最適化することにより達成された。成長温度が500-900°Cの間でのGa-富化条件下で,1nm以下のrms粗さを持つ滑らかな表面が実現された。著者らは650-750°Cの間でわずかにGaを富化した条件が滑らかな表面を有するβ-Ga₂O₃(010)を高成長速度で成長させるのに最適であることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MBE成長 ,  *酸化ガリウム ,  *表面粗さ ,  X線回折 ,  RHEED ,  Hall移動度 ,  キャリア密度 ,  MOSFET ,  半導体
準シソーラス用語： *プラズマ分子線エピタキシー ,  *結晶成長速度 ,  *成長温度 ,  成長条件

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (19件)：

• H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, A316 (1965).
• C. Janowitz, V. Scherer, M. Mohamed, A. Krapf, H. Dwelk, R. Manzke, Z. Galazka, R. Uecker, K. Lrmscher, R. Fornari, M. Michling, D. Schmeiber, J. R. Weber, J. B. Verley, and C. G. Van de Walle, New J. Phys. 13, 085014 (2011).
• M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100, 013504 (2012).
• Z. Galazka, Cryst. Res. Technol. 45, 1229 (2010).
• E. G. Víllora, K. Shimamura, Y. Yoshikawa, K. Aoki, and N. Ichinose, J. Cryst. Growth 270, 420 (2004).

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  アシスト ,  分子線エピタキシー ,  成長速度 ,  系統 ,  研究