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J-GLOBAL ID：201502209543448202   整理番号：15A1046535

積層Mo/C電極によるSiCショットキーダイオードの電気特性評価

著者 (5件)： 鈴木智之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.15P-1A-4  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *電流電圧特性 ,  電気特性 ,  電流密度 ,  電圧 ,  モリブデン ,  炭素 ,  積層構造 ,  多層膜 ,  RFスパッタリング ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  *電極 ,  パワーエレクトロニクス ,  RIE【エッチング】 ,  電流密度-電圧特性
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  TiN

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mo ,  SiC ,  ショットキーダイオード ,  電気特性 ,  評価