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J-GLOBAL ID：201502211782044312   整理番号：15A0827730

電流注入形半導体薄膜分布反射型レーザの室温連続動作

Room-temperature continuous-wave operation of current-injection-type semiconductor membrane distributed-reflector laser

著者 (9件)： 平谷拓生 (東京工大) ,  井上大輔 (東京工大) ,  冨安高弘 (東京工大) ,  厚地祐輝 (東京工大) ,  福田快 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 46(LQE2015 1-19)  ページ： 1-6  発行年： 2015年05月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年のLSIは素子の微細化による高性能化を進める一方で,配線層上部のグローバル配線において,信号遅延や発熱などが問題となっている。これらの問題を解決する方法の一つとして,電気配線を光配線に置き換えることが挙げられており,様々な研究が行われている。我々はLSI上光配線を目的として,低消費電力・高効率動作が期待できるIII-V族半導体薄膜構造レーザを提案し,横方向電流注入構造による低電流動作を実現すると共に,その低消費電力・高速動作可能性の理論検討を行ってきた。今回,半導体薄膜分布反射型レーザを試作し,DFB構造より優れた片方向出力特性を得た。DFB領域長30μm,DBR領域長90μmの素子において,しきい値電流250μA,前端面からの外部微分量子効率はDFB構造素子の2.7倍の11%および光出力の前後比6.7を得た。また,位相シフトを導入したDFB領域長80μm,DBR領域長200μmの素子においては,しきい値電流250μA(量子井戸単層あたりの電流密度90A/cm²/well),前端面からの外部微分量子効率8%が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  半導体薄膜 ,  *注入 ,  配線 ,  *反射器 ,  分布帰還形レーザ ,  回折格子 ,  位相シフト
準シソーラス用語： *DBR ,  DFBレーザ ,  光配線 ,  *電流注入

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

引用文献 (24件)：

• R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, V. L. Rideout, E. Bassous, and A. R. LeBlanc, "Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions," IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 9, pp. 256-268, Oct. 1974.
• P. Kapur, J. P. McVittie, and K. C. Saraswat, "Technology and reliability constrained future copper interconnects-Part I: Resistance modeling," Trans. Electron Devices, vol. 49, no. 4, pp. 590-597, Apr. 2002.
• P. Kapur, G. Chandra, J. P. McVittie, and K. C. Saraswat, "Technology and reliability constrained future copper interconnects-Part II: Performance implications," Trans. Electron Devices, vol. 49, no. 4, pp. 598-604, Apr. 2002.
• D. A. B. Miller, "Rationale and challenges for optical interconnects to electronic chips," Proc. IEEE, vol. 88, no. 6, pp. 728-749, June 2000.
• G. Chen, H. Chen, M. Haurylau, N. A. Nelson, D. H. Albonesi, P. M. Fauchet, and E. G. Friedman, "Prediction of CMOS compatible on-chip optical interconnect," Integration, the VLSI journal, vol. 40, no. 4, pp. 434-446, Oct. 2006.

タイトルに関連する用語 (6件)： 電流注入 ,  半導体薄膜 ,  分布 ,  レーザ ,  室温 ,  連続動作