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J-GLOBAL ID：201502213215202961   整理番号：15A1132258

高分子Langmuir-Blodgett膜を用いた二次元プロトン伝導に及ぼすイオン性基含有率依存性

著者 (6件)： 佐藤琢磨 (山形大 大学院) ,  松井淳 (山形大 大学院) ,  三ツ石方也 (東北大 多元物質科研) ,  宮下徳治 (東北大 多元物質科研) ,  永野修作 (名大 院) ,  源明誠 (富山大 大学院)
資料名： 高分子学会予稿集(CD-ROM)  (高分子学会討論会予稿集(CD-ROM))
巻： 64  号： 2  ページ： ROMBUNNO.2S01  発行年： 2015年08月25日 
JST資料番号： Z0703C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *Langmuir-Blodgett膜 ,  *共重合体 ,  共重合 ,  ラジカル重合 ,  両親媒性高分子 ,  *プロトン伝導 ,  層状組織 ,  二次元 ,  活性化エネルギー ,  水素結合 ,  *高分子薄膜 ,  脂肪族カルボン酸 ,  ビニル化合物 ,  不飽和カルボン酸 ,  カルボキシ基
準シソーラス用語： カルボキシル基 ,  *ポリドデシルアクリルアミドーアクリル酸

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (2件)： N-ドデシルアクリルアミド ,  アクリル酸

タイトルに関連する用語 (6件)： 高分子 ,  Langmuir-Blodgett膜 ,  プロトン伝導 ,  イオン性基 ,  含有率 ,  依存性