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J-GLOBAL ID：201502217933920770   整理番号：15A1046576

硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS₂薄膜の結晶性向上

著者 (10件)： 松浦賢太朗 (東京工大) ,  大橋匠 (東京工大) ,  石原聖也 (明治大) ,  澤本直美 (明治大) ,  日比野祐介 (明治大) ,  須田耕平 (明治大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.15P-1C-14  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *品質 ,  硫黄 ,  LPCVD ,  *スパッタ蒸着 ,  半導体薄膜 ,  *硫化モリブデン ,  *熱処理 ,  Raman分光法 ,  *結晶品質 ,  *アニーリング効果
準シソーラス用語： *アニール効果 ,  減圧化学蒸着

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 硫黄 ,  粉末 ,  アニール ,  減圧 ,  スパッタ ,  MoS2 ,  薄膜 ,  結晶性