太陽電池の光起電特性へのInGaN/GaN多重量子井戸構造の影響

WATANABE Noriyuki; MITSUHARA Manabu; YOKOYAMA Haruki; LIANG Jianbo; SHIGEKAWA Naoteru

文献

J-GLOBAL ID：201502245769302680 整理番号：15A0127392

太陽電池の光起電特性へのInGaN/GaN多重量子井戸構造の影響

Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell

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資料名：
巻： 53 号： 11 ページ： 112301.1-112301.9 発行年： 2014年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

短絡電流とMQW構造との関係の観点から,InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)太陽電池を調査した。以前に,高い短絡電流が薄いGaNバリヤー層で得られることを報告したが,本研究では,InGaN/GaNの周期層の数を増やすことによっても短絡電流が増加した。これらの結果は,光誘起されたキャリアーの輸送特性はInGaN井戸層内で光誘起されたキャリアーが再結合するまでに動く距離で特徴付けられる,との仮定によって説明することができる。キャリヤー収集効率は,バリアー層において順方向の内部電界によるドリフトによって高められ,井戸層において逆内部電界及び層間のポテンシャル障壁によって生じるキャリアーの蓄積によって劣化する。これによりMQW構造の特徴長への影響を説明できる。このモデルを使用して,短絡電流を高めるためのMQW構造をどのように決定するのかを論じ,InGaN井戸の最適な厚さは,GaN障壁層が3.8nmのとき,約2.3nmであるとの結論に至った。(翻訳著者抄録)

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 太陽電池

引用文献 (39件)：

J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaffs, Appl. Phys. Lett. 80, 4741 (2002).
W. Walukiewicz, S. X. Li, J. Wu, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, J. Cryst Growth 269, 119 (2004).
R. E. Jones, R. Broesler, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, W. Walukiewicz, X. Chen, and W. J. Schaff J. Appl. Phys. 104, 123501 (2008).
A. Yamamoto, Md. R. Islam, T.-T. Kang, and A. Hashimoto, Phys. Status Solidi C 7, 1309 (2010).
O. Jani, I. Ferguson, C. Honsberg, and S. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 91, 132117 (2007).

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