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J-GLOBAL ID：201502268945893925   整理番号：15A0228187

抵抗率のアニーリング効果の調査研究による酸化タングステン粉末薄膜の電子伝導メカニズム

Electron transport mechanism of tungsten trioxide powder thin film studied by investigating effect of annealing on resistivity

著者 (13件)： LI Wei (Dep. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of ...) ,  SASAKI Akito (Toshiba Material Co., LTD, 8, Shinsugita-Cho, Isogo-Ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  OOZU Hideyuki (Toshiba Material Co., LTD, 8, Shinsugita-Cho, Isogo-Ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  AOKI Katsuaki (Toshiba Material Co., LTD, 8, Shinsugita-Cho, Isogo-Ku, Yokohama 235-8522, JPN) ,  KAKUSHIMA Kuniyuki (Dep. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of ...) ,  KATAOKA Yoshinori (Dep. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of ...) ,  NISHIYAMA Akira (Dep. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of ...) ,  SUGII Nobuyuki (Dep. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of ...) ,  WAKABAYASHI Hitoshi (Dep. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of ...) ,  TSUTSUI Kazuo (Dep. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of ...) ,  NATORI Kenji (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259-S2-20 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa 226-8502, JPN) ,  IWAI Hiroshi (Dep. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of ...) ,  IWAI Hiroshi (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259-S2-20 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa 226-8502, JPN)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 55  号： 2  ページ： 407-410  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ粒子から製造され,リチウムイオン電池の電極に使用される三酸化タングステン(WO3)粉末薄膜の電子伝導機構の理解に基づき,リチウムイオン電池の充電・放電速度を向上させるための新しいアプローチを報告する。抵抗率の測定は,N2または5%O2+95%N2雰囲気でのアニーリング後に行った。N2雰囲気中でのアニーリングでは,WO3薄膜中の酸素空孔数の増加により抵抗率が減少した。抵抗率から得られたフィッティング結果より,WO3薄膜の電子伝導にはバンド伝導とホッピング伝導(NNH)の2つのタイプの伝導メカニズムが同時に存在することを提起する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電気伝導 ,  電気抵抗率 ,  熱処理 ,  焼なまし ,  *酸化タングステン ,  *金属粉末 ,  *金属薄膜 ,  ナノ粒子 ,  *リチウムイオン電池 ,  電極 ,  充電 ,  放電 ,  空格子点 ,  ホッピング伝導 ,  単斜晶系 ,  活性化エネルギー ,  電極材料 ,  電子伝導 ,  アニーリング効果 ,  三酸化タングステン ,  バンド伝導 ,  酸素空格子点
準シソーラス用語： 酸素空孔

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (9件)： 抵抗率 ,  アニーリング効果 ,  調査 ,  研究 ,  酸化タングステン ,  粉末 ,  薄膜 ,  電子伝導 ,  メカニズム