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J-GLOBAL ID：201502284668347336   整理番号：15A0529846

厚い(約1μm)In_xGa_1-xN(X=0.2~0.4)における相分離に対する成長温度依存性臨界厚さ

Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (1μm) In Ga_1- N (x=0.2-0.4)

著者 (7件)： YAMAMOTO A. (Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN) ,  YAMAMOTO A. (JST-CREST, 7 Goban-Cho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN) ,  MD Hasan Tanvir (Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN) ,  MD Hasan Tanvir (JST-CREST, 7 Goban-Cho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN) ,  KODAMA K. (Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN) ,  SHIGEKAWA N. (Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Abeno, Osaka 558-8585, JPN) ,  KUZUHARA M. (Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 419  ページ： 64-68  発行年： 2015年06月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,AlN/Si(111),α-Al₂O₃(0001),及びGaN/α-Al₂O₃(0001)基板上に570~750°CでMOVPE法により成長した厚い(約1μm)In_xGa_1-xN(X=0.2~0.4)膜における相分離について報告した。InGaNの厚さが,臨界値を超えたときに,相分離が生起した。成長温度の低下に従い,相分離の臨界厚さは,著しく増加した。750°Cで成長した膜に対して,相分離の臨界厚さは,0.2μm付近であったが,570°Cで成長した膜に対しては,1μm以上であった。臨界厚さにおける基板依存性は,認められなかった。650°Cで成長した相分離膜の断面SEM観察は,相分離が,基板から0.2μmより遙かに遠い部分で開始されることを示していた。SIMS分析は,相分離が,InGaN膜内の比較的大きなIn/Ga比率を有する部分で開始する可能性を示していた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *相分離 ,  温度依存性 ,  *臨界定数 ,  厚み ,  *MOCVD ,  *厚膜 ,  *窒化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 臨界値

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相分離 ,  成長 ,  温度依存性 ,  臨界 ,  厚さ