特許
J-GLOBAL ID：201503015874348628
SiC結晶の結晶成長方法およびSiC結晶基板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-275589
公開番号（公開出願番号）：特開2013-124215
特許番号：特許第5829508号
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のSiC結晶層と、少なくとも1層のグラフェン(graphene)と、第2のSiC結晶層が順に積層しているSiC結晶基板であって、
第1のSiC結晶層の欠陥密度に比して第2のSiC結晶層の欠陥密度が小さいことを特徴とするSiC結晶基板。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 19/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/208 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 19/12
, H01L 21/205
, H01L 21/208 D
