特許

J-GLOBAL ID：201003027241830529

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 古庄 智明 ,  浜野 健一 ,  沢田 隆夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-307154
公開番号（公開出願番号）：特開2010-132464
出願日： 2008年12月02日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】4H型の炭化珪素単結晶を種結晶から成長させる場合、通常、種結晶の(000-1)カーボン面に炭化珪素を成長するが、この場合、種結晶の接着面は(000-1)カーボン面の反対側の(0001)シリコン面となり、カーボン接着剤を用いて種結晶と支持部材との密着性を接着面全面にわたり均一に高めることが難しい。【解決手段】炭化珪素種結晶の(0001)シリコン面表層に炭化膜層を形成し、前記炭化膜層を形成した前記種結晶を前記炭化膜層の面側を支持部材に接着し、炭化珪素単結晶を成長する。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

炭化珪素種結晶の表層に炭化膜層を形成する炭化膜層形成工程と、 前記炭化珪素種結晶の表層に前記炭化膜層を形成した面を支持部材に対向させて接着する接着工程と を備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/02

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B23/02

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077ED01 ,  4G077EE10 ,  4G077EG11 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4G077SA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• SiC単結晶の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-134466   出願人：株式会社デンソー
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-273347   出願人：昭和電工株式会社
• 種結晶の固定方法および固定状態の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-318010   出願人：株式会社デンソー, 独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (4件)

• 単結晶の製造方法及び種結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-103581   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
• 単結晶を製造するための種結晶、種結晶の使用方法並びにSiC単結晶或いは単結晶SiC膜の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-508802   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• SiC単結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-060237   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
• 炭化ケイ素単結晶並びにその製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-154616   出願人：株式会社ブリヂストン