特許
J-GLOBAL ID：201103046695206260
単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-280772
公開番号（公開出願番号）：特開2011-121815
出願日： 2009年12月10日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
【課題】台座上に固定された種結晶を用いて高品質の単結晶を成長させることができる、単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】第1および第2の面P1、P2を有し、かつ炭化珪素からなる種結晶11が準備される。第1の面P1上に第1の炭化層22aが形成されるように、種結晶11の表面が炭化される。接着剤を挟んで第1の炭化層22aと台座41とが互いに接触させられる。種結晶11を台座41に固定するために接着剤が硬化させられる。台座41に固定された種結晶11の第2の面P2上に単結晶52が成長させられる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1および第2の面を有し、かつ炭化珪素からなる種結晶を準備する工程と、
前記第1の面上に第1の炭化層が形成されるように、前記種結晶の表面を炭化する工程と、
接着剤を挟んで前記第1の炭化層と台座とを互いに接触させる工程と、
前記種結晶を前記台座に固定するために前記接着剤を硬化させる工程と、
前記台座に固定された前記種結晶の前記第2の面上に単結晶を成長させる工程とを備える、単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EG11
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA12
