特許
J-GLOBAL ID:201003029755464613

SiC単結晶の接着方法及びSiC単結晶の溶液成長法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  堂垣 泰雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-038304
公開番号(公開出願番号):特開2010-189246
出願日: 2009年02月20日
公開日(公表日): 2010年09月02日
要約:
【課題】溶液成長法における結晶成長では、種結晶から黒鉛軸方向への放熱作用により成長が進む。接着不良箇所や接着剥離箇所のような、接着が不完全な部分(空気の層が入る部分)がある場合、軸方向への放熱性が悪くなり部分的に成長速度が落ちる。その結果、単結晶成長時に面内で平坦な成長が出来ない問題を引き起こす。また、接着不良箇所や接着剥離箇所のような、接着が不完全な部分は、種結晶の脱落の原因となり得る。従って、接着層で均一且つ安定な接着を実現することが、課題となっている。【解決手段】SiCの溶液にSiC種結晶を接触させてSiC単結晶を成長させるために用いるSiC種結晶を黒鉛軸先端に接着する方法であって、熱硬化性樹脂およびSiC粒子を含む接着剤を用いてSiC種結晶を黒鉛軸先端に接着することを特徴とするSiC種結晶の接着方法が提供される。【選択図】図6
請求項(抜粋):
SiCの溶液にSiC種結晶を接触させてSiC単結晶を成長させるために用いるSiC種結晶を黒鉛軸先端に接着する方法であって、熱硬化性樹脂およびSiC粒子を含む接着剤を用いてSiC種結晶を黒鉛軸先端に接着することを特徴とするSiC種結晶の接着方法。
IPC (6件):
C30B 29/36 ,  C30B 19/00 ,  C04B 37/00 ,  C09J 5/00 ,  C09J 11/04 ,  C09J 161/00
FI (6件):
C30B29/36 A ,  C30B19/00 Z ,  C04B37/00 A ,  C09J5/00 ,  C09J11/04 ,  C09J161/00
Fターム (38件):
4G026BA14 ,  4G026BB13 ,  4G026BE01 ,  4G026BF05 ,  4G026BF07 ,  4G026BF09 ,  4G026BF44 ,  4G026BF48 ,  4G026BF51 ,  4G026BG02 ,  4G026BG04 ,  4G026BG05 ,  4G026BG25 ,  4G026BH13 ,  4G077AA02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077EG11 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA52 ,  4G077QA54 ,  4G077QA71 ,  4J040EB031 ,  4J040EC001 ,  4J040ED001 ,  4J040EH031 ,  4J040HA296 ,  4J040HB09 ,  4J040KA23 ,  4J040LA02 ,  4J040MA01 ,  4J040MB04 ,  4J040PA30
引用特許:
出願人引用 (7件)
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