SiC単結晶の接着方法及びSiC単結晶の溶液成長法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 堂垣泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-038304
公開番号（公開出願番号）：特開2010-189246
出願日： 2009年02月20日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：

【課題】溶液成長法における結晶成長では、種結晶から黒鉛軸方向への放熱作用により成長が進む。接着不良箇所や接着剥離箇所のような、接着が不完全な部分(空気の層が入る部分)がある場合、軸方向への放熱性が悪くなり部分的に成長速度が落ちる。その結果、単結晶成長時に面内で平坦な成長が出来ない問題を引き起こす。また、接着不良箇所や接着剥離箇所のような、接着が不完全な部分は、種結晶の脱落の原因となり得る。従って、接着層で均一且つ安定な接着を実現することが、課題となっている。【解決手段】SiCの溶液にSiC種結晶を接触させてSiC単結晶を成長させるために用いるSiC種結晶を黒鉛軸先端に接着する方法であって、熱硬化性樹脂およびSiC粒子を含む接着剤を用いてSiC種結晶を黒鉛軸先端に接着することを特徴とするSiC種結晶の接着方法が提供される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

SiCの溶液にSiC種結晶を接触させてSiC単結晶を成長させるために用いるSiC種結晶を黒鉛軸先端に接着する方法であって、熱硬化性樹脂およびSiC粒子を含む接着剤を用いてSiC種結晶を黒鉛軸先端に接着することを特徴とするSiC種結晶の接着方法。

IPC (6件)：

C30B 29/36 , C30B 19/00 , C04B 37/00 , C09J 5/00 , C09J 11/04 , C09J 161/00

FI (6件)：

C30B29/36 A , C30B19/00 Z , C04B37/00 A , C09J5/00 , C09J11/04 , C09J161/00

Fターム (38件)：

4G026BA14 , 4G026BB13 , 4G026BE01 , 4G026BF05 , 4G026BF07 , 4G026BF09 , 4G026BF44 , 4G026BF48 , 4G026BF51 , 4G026BG02 , 4G026BG04 , 4G026BG05 , 4G026BG25 , 4G026BH13 , 4G077AA02 , 4G077AB09 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077EG11 , 4G077EG25 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA52 , 4G077QA54 , 4G077QA71 , 4J040EB031 , 4J040EC001 , 4J040ED001 , 4J040EH031 , 4J040HA296 , 4J040HB09 , 4J040KA23 , 4J040LA02 , 4J040MA01 , 4J040MB04 , 4J040PA30

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