特許
J-GLOBAL ID：201503078439859670
ナノデバイス及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平山 一幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-502342
特許番号：特許第5674220号
出願日： 2013年02月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の絶縁層と、
上記第1の絶縁層上にナノギャップを有するように設けられた一方の電極と他方の電極と、
上記一方の電極と上記他方の電極との間に配置された金属ナノ粒子と、
上記第1の絶縁層、上記一方の電極及び上記他方の電極の上に設けられ、上記金属ナノ粒子を埋設する第2の絶縁層と、
上記第1の絶縁層上に上記一方の電極と上記他方の電極との配置方向に対して交差する方向に設けられ、かつ上記第2の絶縁層によって被覆された一又は複数のサイドゲート電極と、
上記第2の絶縁層上に設けられたトップゲート電極と、
を備え、
上記金属ナノ粒子と上記一方の電極との間、上記金属ナノ粒子と上記他方の電極との間には、上記第2の絶縁層の一部として単分子膜が介在する、ナノデバイス。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/66 ( 200 6.01)
H01L 29/78 622
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/06 601 N
, H01L 29/66 S
