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J-GLOBAL ID：201602210108358981   整理番号：16A0283795

走査型非線形誘電率顕微鏡における強誘電性Y:HfO₂薄膜のドメイン反転

著者 (7件)： CHEN Zhou (東北大 電通研) ,  平永良臣 (東北大 電通研) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  片山きりは (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  長康雄 (東北大 電通研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.21P-W641-9  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *走査型プローブ顕微鏡 ,  *強誘電体 ,  酸化ハフニウム ,  イットリウム含有合金 ,  構造 ,  *走査型非線形誘電率顕微鏡 ,  ドメイン構造

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  誘電体測定技術・装置  (BM05020Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 走査型非線形誘電率顕微鏡 ,  強誘電性 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  ドメイン ,  反転