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J-GLOBAL ID：201602210713728374   整理番号：16A1347110

AlGaN/GaN HEMT用La₂O₃ゲート絶縁膜

La₂O₃ gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT

著者 (8件)： Chen J. (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Kawanago T. (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Wakabayashi H. (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Tsutsui K. (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Iwai H. (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Nohata D. (Tokyo City University, Tokyo 158-8557, Japan) ,  Nohira H. (Tokyo City University, Tokyo 158-8557, Japan) ,  Kakushima K. (Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8502, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 60  ページ： 16-19  発行年： 2016年05月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WゲートAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)用のLa₂O₃ゲート絶縁膜のアニール温度依存電気的特性の特徴付けを行った。しきい値電圧(Vth)は,ショットキーHEMTのそれを超えるより高い温度のアニールにより正の方向にシフトすることが判明し,おそらくLa₂O₃とAlGaN層間の界面における負の固定電荷の存在に起因すると考えられる。500°C以上の高温アニールで,La₂O₃膜の多結晶化により高誘電率(k値)27を達成し,これはゲート容量の低減を制限するのに有用である。La₂O₃ゲート絶縁膜の高いk値および界面における負電荷の存在は,低ゲートリークおよびノーマリオフ動作を有するAlGaN/GaN HEMTにとって魅力的である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化ランタン ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *ゲート【半導体】 ,  *絶縁膜 ,  電圧 ,  *焼なまし ,  *温度依存性 ,  多結晶 ,  *誘電体薄膜 ,  容量 ,  誘電率 ,  *漏れ電流 ,  回路特性 ,  *電流電圧特性 ,  *Schottky障壁 ,  ゲート絶縁膜 ,  閾値電圧 ,  高k誘電体 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN ,  ゲート容量 ,  ノーマリーオフ ,  Schottkyゲート電界効果トランジスタ

著者キーワード (5件)： AlGaN/GaN HEMT ,  Gate dielectrics ,  Threshold voltage ,  Power devices ,  Lanthanum oxide

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  La2O3 ,  ゲート絶縁膜