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J-GLOBAL ID：201602214695842489   整理番号：16A0283794

固相成長による配向制御したHfO₂基強誘電体薄膜の作製と特性評価

著者 (10件)： 三村和仙 (東京工大) ,  片山きりは (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  内田寛 (上智大 理工) ,  木口賢紀 (東北大 金属材料研) ,  赤間章裕 (東北大 金属材料研) ,  今野豊彦 (東北大 金属材料研) ,  坂田修身 (NIMS) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.21P-W641-8  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *固相成長 ,  制御 ,  *酸化ハフニウム ,  *誘電体薄膜 ,  キャラクタリゼーション ,  X線回折 ,  ヒステリシス ,  *パルスレーザ蒸着 ,  配向制御 ,  *強誘電体薄膜 ,  分極ヒステリシス
準シソーラス用語： 特性評価 ,  XRD ,  誘電ヒステリシス ,  パルスレーザ堆積

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 固相成長 ,  配向制御 ,  HfO2 ,  強誘電体薄膜 ,  作製 ,  特性評価