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J-GLOBAL ID：201602234971269312   整理番号：16A0631019

TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS₂膜の形成

MoS₂ Film Formation by RF Magnetron Sputtering for Thin Film Transistors

著者 (10件)： 大橋匠 (東京工大) ,  松浦賢太朗 (東京工大) ,  石原聖也 (明治大) ,  石原聖也 (日本学術振興会) ,  日比野祐介 (明治大) ,  澤本直美 (明治大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 118(SDM2016 32-47)  ページ： 75-78  発行年： 2016年06月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 層状構造を有するMoS₂は薄膜領域において高移動度を有することから,柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Complementary TFTsとして期待されている。成膜には主に剥離法が用いられているが,面内均一性や膜厚制御性,不純物制御性に欠けるなど,実用化に向けて問題が山積している。そこで本研究では,従来のクリーンプロセスに適合する成膜方法として,大面積かつ低温度で成膜可能なRFマグネトロンスパッタリング法を採用し,SiO₂/Si基板上へMoS₂膜5層の成膜に成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *硫化モリブデン ,  *製膜 ,  層状組織 ,  薄膜 ,  移動度 ,  膜厚 ,  制御 ,  ウエハ【IC】 ,  シリカゲル ,  高移動度 ,  不純物制御 ,  *硫化モリブデン(IV) ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング ,  *二硫化モリブデン ,  Si基板

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： TFT ,  応用 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  MoS2