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J-GLOBAL ID：201602249806353802   整理番号：16A0490033

PZT膜における温度によるドメイン構造転移

著者 (9件)： 舟窪浩 (東京工大) ,  舟窪浩 (東工大 元素戦略セ) ,  一ノ瀬大地 (東京工大) ,  中島崇明 (東京工大) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  及川貴弘 (東京工大) ,  清水荘雄 (東工大 元素戦略セ) ,  山田智明 (名古屋大 工) ,  山田智明 (JST-PRESTO)
資料名： エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集  (エレクトロセラミックス研究討論会プログラム講演予稿集)
巻： 35th  ページ： 60-61  発行年： 2015年10月22日 
JST資料番号： L8356A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *誘電体薄膜 ,  強誘電体 ,  *MOCVD ,  *基板 ,  *単結晶 ,  タンタル酸カリウム ,  スカンジウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  ガドリニウム化合物 ,  ジスプロシウム化合物 ,  チタン酸ストロンチウム ,  格子定数 ,  *歪 ,  面 ,  結晶構造 ,  *分域構造 ,  スカンジウム酸塩 ,  ドメイン構造 ,  強誘電体薄膜 ,  面内歪
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  スカンジウム酸ガドリニウム ,  スカンジウム酸ジスプロシウム

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (3件)： PZT ,  ドメイン ,  構造転移