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J-GLOBAL ID：201602254663826969   整理番号：16A1176213

正方晶Pb(Zr,Ti)O₃薄膜ドメイン構造の配向及び歪み制御

著者 (11件)： 一ノ瀬大地 (東京工大) ,  中島崇明 (東京工大) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  江原祥隆 (ダルムシュタット工科大) ,  及川貴弘 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  坂田修身 (東京工大) ,  坂田修身 (NIMS/SPring-8) ,  山田智明 (名古屋大) ,  山田智明 (JST-PRESTO) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集  (エレクトロセラミックス研究討論会プログラム講演予稿集)
巻： 36th  ページ： 20-21  発行年： 2016年10月13日 
JST資料番号： L8356A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *薄膜 ,  *構造 ,  *配向 ,  *歪 ,  制御 ,  結晶方位 ,  タンタル酸カリウム ,  写像 ,  結晶格子 ,  常誘電体 ,  強誘電体 ,  誘電転移 ,  *ドメイン構造 ,  圧縮歪 ,  引張歪
準シソーラス用語： 逆格子マッピング

分類 (2件)： 非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 正方晶 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  薄膜 ,  ドメイン構造 ,  配向 ,  歪み制御