特許
J-GLOBAL ID：201603005529614660
SiC結晶の成長方法およびSiC結晶の製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-275588
公開番号（公開出願番号）：特開2013-124214
特許番号：特許第5936344号
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SiC結晶の成長方法であって、
シリコンおよび金属をシリコンの融点以下に加熱して得られた溶液に、カーボンを含む膜を介してサファイア基板が接する状態を実現する工程と、
前記カーボンを含む膜の一部が消失し、その消失部でサファイア基板と前記溶液が直接接触するに至るまで前記状態を持続する工程と、
前記カーボンを含む膜の一部が消失した後に、前記溶液を冷却する工程と、
を備えることを特徴とするSiC結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 19/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/208 ( 200 6.01)
C30B 29/36 A
, C30B 19/12
, H01L 21/208 D
