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J-GLOBAL ID：201702224422824394   整理番号：17A1140985

スパッタ堆積MoS₂膜の下地材料依存性

著者 (9件)： 大橋匠 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  石原聖也 (明治大) ,  石原聖也 (日本学術振興会) ,  日比野祐介 (明治大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-C11-5  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  層状化合物 ,  半導体薄膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  ケイ素 ,  *二酸化ケイ素 ,  *アルミナ ,  基板 ,  *下地材料 ,  Ramanスペクトル ,  硫化水素 ,  焼なまし ,  *表面粗さ ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタ堆積 ,  MoS2 ,  下地 ,  材料依存性