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J-GLOBAL ID：201702243968720103   整理番号：17A1138477

立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの形状制御

著者 (10件)： 黒岩宏紀 (東京工大) ,  濱田拓也 (東京工大) ,  高橋言緒 (産業技術総合研) ,  井手利英 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5p-A301-7  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *選択成長 ,  *形状制御 ,  *FET【トランジスタ】 ,  窒化ケイ素 ,  マスク ,  熱処理 ,  MOCVD ,  電子顕微鏡観察 ,  アンモニア ,  アスペクト比 ,  *サーボ制御
準シソーラス用語： *FinFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 立体 ,  チャネル ,  トランジスタ ,  応用 ,  選択成長 ,  GaN ,  形状制御