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J-GLOBAL ID：201702245052845817   整理番号：17A1140777

強誘電性HfO₂薄膜におけるナノスケール分極反転ドット書き込み

著者 (5件)： 平永良臣 (東北大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  長康雄 (東北大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-A204-7  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *強誘電性 ,  *誘電体薄膜 ,  *ナノ構造 ,  *分極反転 ,  *データ書込 ,  データ蓄積 ,  記録密度 ,  記憶媒体 ,  斜方晶系 ,  *走査型プローブ顕微鏡 ,  パルスレーザ蒸着 ,  イットリウム ,  ドーピング ,  顕微鏡観察 ,  電極 ,  片持梁 ,  アレイ ,  ドットアレイ ,  走査型非線形誘電率顕微鏡
準シソーラス用語： SPM【顕微鏡】 ,  SNDM ,  プローブ電極

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 強誘電性 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  ナノスケール ,  分極反転 ,  ドット ,  書き込み