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J-GLOBAL ID：201702278249811393   整理番号：17A1605284

HfO₂基強誘電体のドメイン構造と電場誘起スイッチング

著者 (9件)： 清水荘雄 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  木口賢紀 (東北大) ,  白石貴久 (東北大) ,  赤間章裕 (東北大) ,  今野豊彦 (東北大) ,  坂田修身 (NIMS) ,  勝矢良雄 (NIMS) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集  (エレクトロセラミックス研究討論会プログラム講演予稿集)
巻： 37th  ページ： 22  発行年： 2017年10月12日 
JST資料番号： L8356A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 機能性セラミック ,  強誘電体 ,  *酸化ハフニウム ,  微細構造 ,  結晶構造 ,  *スイッチング ,  電場効果 ,  不揮発性メモリ ,  強誘電性 ,  *誘電体薄膜 ,  エピタクシー ,  薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *ドメイン構造 ,  エピタキシャル膜 ,  強誘電体セラミック ,  強誘電体薄膜
準シソーラス用語： 強誘電性セラミック ,  微細組織 ,  強誘電特性 ,  強誘電薄膜 ,  パルスレーザ堆積

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： HfO2 ,  強誘電体 ,  ドメイン構造 ,  電場 ,  誘起 ,  スイッチング