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J-GLOBAL ID：201702283723718910   整理番号：17A0551133

エピタキシャルHfO₂基膜における強誘電相の安定性-RE₂O₃-HfO₂vs ZrO₂-HfO₂-

著者 (8件)： 三村和仙 (東京工大) ,  片山きりは (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  木口賢紀 (東北大 金属材料研) ,  赤間章裕 (東北大 金属材料研) ,  今野豊彦 (東北大 金属材料研) ,  坂田修身 (NIMS) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17p-304-2  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *エピタクシー ,  酸化ハフニウム ,  *強誘電体 ,  安定性 ,  酸化ジルコニウム ,  酸化イットリウム ,  X線回折 ,  *結晶構造
準シソーラス用語： 二酸化ジルコニウム ,  二酸化ハフニウム

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  HfO2 ,  安定性 ,  ZrO2