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J-GLOBAL ID：201702287514038145   整理番号：17A0011609

エピタキシャルおよび配向性YドープHfO₂薄膜の強誘電性

著者 (9件)： 清水荘雄 (東京工大) ,  片山きりは (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  木口賢紀 (東北大) ,  白石貴久 (東北大) ,  赤間章裕 (東北大) ,  今野豊彦 (東北大) ,  坂田修身 (物質・材料機構) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM)
巻： 29th  ページ： ROMBUNNO.1U26  発行年： 2016年08月29日 
JST資料番号： L2240B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： エレクトロセラミック ,  セラミック膜 ,  *酸化ハフニウム ,  ドーパント ,  イットリウム ,  エピタクシー ,  レーザ蒸着 ,  強誘電性 ,  結晶構造

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  配向性 ,  ドープ ,  HfO2 ,  薄膜 ,  強誘電性